【三星芯片】三星宣布量產3納米芯片　性能較5納米芯片提升23%

芯片製造商三星（Samsung）與台積電一直保持激烈競爭，台積電早前表示，計畫在下半年開始大規模生產3納米芯片。三星亦不甘後人，今日（30日）宣布已開始量產3納米芯片，而且性能較5納米芯片提升23%。

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三星表示，3納米芯片採用Gate-All-Around（GAA）技術，與舊有的FinFET工藝相比，新架構加入了更寬的通道，以便電流通過，同時降低電壓水平。因此，該技術能使芯片耗電量減少45%，同時性能提高23%，而表面面積也減少了16%。

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3納米芯片提供了一種更靈活的設計，允許調整通道寬度，滿足客戶的需求。三星還提到，後續的第二代3納米工藝技術也在研發中，並會進一步改善功耗、性能和表面面積。

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責任編輯：陳卓賢