【芯片大戰】三星3納米芯片成功流片 有望明年量產

股市 16:47 2021/06/30

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三星採用GAA技術的3納米芯片成功試生產,有望明年量產。

外媒報道,三星採用全環繞栅極架構(Gate-All-Around FET, GAA)的3納米製程技術已成功流片(tape out,即試生產),性能上優於台積電的鰭式場效應架構(FinFET)。三星3納米GAA技術主要與新思科技(Synopsys)合作,加速為GAA技術提供最優化解決方案。

報道指,因為三星3納米與台積電(TSMC,台:2330)、英特爾(Intel)目前採用的FinFET架構不同,需要新設計與認證工具,所以採用Fusion Design Platfrom,該製程設計套件(PDK)於2019年5月發布,並在2020年通過製程技術認證。三星3納米GAA結構製程技術預計將用於高性能運算(HPC)、5G、通訊、人工智能(AI)等領域,有望於2022年投產。

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三星在3納米製程的發展較為激進,直接選用新一代技術GAA,透過使用納米材料設備製造出MBCFET(Multi-Bridge Channel FET,多橋通道場效電晶體)。按三星說法,與5納米製程相比,3納米GAA技術的功耗降低50%,效能卻提高約30%。

台積電方面,則預計3納米製程在2022年下半年量產,效能可比5納米提升10%至15%,功耗減少25%至30%。

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編輯:陳健婷

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