台積電搶2023年試產2nm 三星冀偷步早一年生產3nm

新經濟追蹤 19:24 2020/11/18

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圖為台積電創辦人張忠謀

台積電(美:TSM)(台:2330)在2nm(納米)製程工藝方面取得了重大突破,並將於2023年下半年進行小規模試產,2024年可大規模量產。台積電表示,在2nm之後,將繼續向1nm進發。至於客戶,包括蘋果、高通、NVIDIA、AMD等都將先應用台積電先進的2nm製程工藝。

2nm工藝上,台積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場效應晶體管),甚至不使用三星規劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環繞柵極場效應晶體管),即納米線(nanowire),而是將其拓展成為MBCFET(多橋通道場效應晶體管),即納米片(nanosheet)。

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從GAAFET到MBCFET,從納米線到納米片,可以視為從二維到三維的躍進,能夠大大改進電路控制,降低漏電率。

至於三星,據彭博報道,三星電子將向下一代芯片投入1160億美元,冀兩年後縮小與台積電的差距。

三星電子將2022年大規模生產3nm芯片,報道指,如果三星成功,將是一個突破,成為芯片廠商的主要選擇,像蘋果和AMD公司現在依靠台積電一樣。

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三星的目標是與台積電在2022年下半年提供3nm芯片批量生產的目標一樣。但韓國公司也希望通過採用GAAFET技術,做得更好,一些人認為這種技術改變了遊戲規則,它可以更精確地控制跨通道的電流、縮小芯片面積並降低功耗。台積電選擇了更成熟的 FinFET架構用於其3nm製程。

三星今年在韓國南部城市Hwaseong開始其第一家基於EUV的專用工廠生產,而第二家工廠在平澤,計劃於2021年下半年量產。半導體業務高級副總裁韓曉明在最近的一次盈利電話中表示,預計其代工業務的增長率將大大超過市場平均增長率,市場可能達到個位數的高位。

SK Securities分析師Kim Young-so表示,三星選擇的GAA技術,有望在2024年被台積電用於2nm製程工藝,也有可能將時間提前到2023下半年。他預期,從技術上說,三星可以在台積電2023年開始2nm生產之前,扭轉局面,生產應用處理器芯片和邊緣計算器件時會有溢出訂單。擴大市場份額的關鍵就是三星可以保護多少台EUV機器。

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記者:譚志偉

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